广东功率MOSFET

如何区分MOSFET是N沟道还是P沟道？场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的简称，它是现代电子产品的基本组成部分。MOSFET由诸如硅的半导体材料制成，半导体在导体和绝缘体之间具有导电性。为了使半导体成为良好的导体，会在纯晶体中引入两种类型的杂质，如果杂质是五价的，则所得的半导体为n型。在n型电子中，大多数电荷载流子。如果杂质是三价的，那么所得的半导体是p型的。在p型孔中，大多数电荷载流子。MOSFET有两种类型：增强型和耗尽型，这两种类型都进一步分为：N通道和P通道。漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。广东功率MOSFET

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。只考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。选择FET时需要考虑的因素包括额定电压、环境温度、开关频率、控制器驱动能力和散热组件面积。关键问题是，如果功耗过高且散热不足，则FET可能会过热起火。我们可以利用封装/散热组件ThetaJA或者热敏电阻、FET功耗和环境温度估算某个FET的结温。广东功率MOSFETMOSFET电压和电流的选择，额定电压越大，器件的成本就越高。

MOSFET知识介绍：Eoss，输出容能量，表示输出电容Coss在MOSFET存储的能量大小。由于MOSFET的输出电容Coss有非常明显的非线性特性，随Vds电压的变化而变化。所以如果datasheet提供了这个参数，对于评估MOSFET的开关损耗很有帮助。并非所有的MOSFET手册中都会提供这个参数，事实上大部分datasheet并不提供。Body Diode di/dt 体二极管的电流变化率，它反应了MOSFET体二极管的反向恢复特性。因为二极管是双极型器件，它受到电荷存储的影响，当二极管反向偏置时，PN结储存的电荷必须清理。

MOSFET的重要部位：金属—氧化层—半导体电容，金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为重要，氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。MOSFET的特点有哪些？

MOSFET有什么应用优势？1、场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用双极晶体管。2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好。3、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广阔的应用。由于MOSFET元件的性能逐渐提升，除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现。常用于MOSFET的电路符号有很多种变化。广东功率MOSFET

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”。广东功率MOSFET

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而双极结型晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了 的应用。MOSFET在1960年由贝尔实验室（Bell Lab.）的D. Kahng和 Martin Atalla 实作成功，这种元件的操作原理和1947年萧克莱（William Shockley）等人发明的双载流子结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT）截然不同，且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势，在大型集成电路（Large-Scale Integrated Circuits,LSI）或是超大型集成电路（Very Large-Scale Integrated Circuits,VLSI）的领域里，重要性远超过BJT。广东功率MOSFET

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